2022年7月18日，由工信部電子五所牽頭起草的《用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案，該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)草案按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成。起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會(huì)，得到了很多CASAS正式成員的支持。

T/CASAS 005—202X《用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》基于GaN功率器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試的迫切需求，自2021年9月起，預(yù)提案單位工業(yè)和信息化部電子第五研究所、佛山市聯(lián)動(dòng)科技股份有限公司、東南大學(xué)、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、珠海鎵未來科技有限公司等單位討論確定啟動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)制定的準(zhǔn)備工作，一致認(rèn)同基于硬開關(guān)電路的GaN HEMT電力電子器件動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)制定的必要性及迫切性；標(biāo)準(zhǔn)編制組于2021年9月~10月分別組織多次線上討論會(huì)，修改完善標(biāo)準(zhǔn)提案所需材料：標(biāo)準(zhǔn)建議表、標(biāo)準(zhǔn)草案。

2021年11月9日，來自工業(yè)和信息化部電子第五研究所、佛山市聯(lián)動(dòng)科技股份有限公司、東南大學(xué)、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、香港應(yīng)科院、是德科技有限公司、泰科天潤等單位的專家老師在線上（騰訊會(huì)議）召開了標(biāo)準(zhǔn)預(yù)提案討論會(huì)，工業(yè)和信息化部電子第五研究所代表賀致遠(yuǎn)博士介紹了制定背景、GaN動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試現(xiàn)狀、標(biāo)準(zhǔn)編制思路、草案內(nèi)容以及測(cè)試實(shí)例。會(huì)議中對(duì)準(zhǔn)備的文件進(jìn)行了仔細(xì)深入的討論。之后預(yù)提案單位形成提交給CSAS秘書處的項(xiàng)目提案材料。

2021年11月9日，根據(jù)CASAS管理辦法等管理文件，CASAS秘書處開展該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)的程序性工作；于2月11日，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過，T/CASAS 005-202X《用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)。

2022年3月1日，組建起草組。起草組成員包括：工業(yè)和信息化部電子第五研究所、佛山市聯(lián)動(dòng)科技股份有限公司、東南大學(xué)、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、英諾賽科（珠海）科技有限公司、佛山市國星光電股份有限公司等。起草組根據(jù)前期的意見征求情況，全面修改并完善了標(biāo)準(zhǔn)草案，并于4月初形成了征求意見稿。

2022年4月1日，秘書處面向全體成員單位發(fā)送征求意見的通知；2022年6月9日，針對(duì)征求意見階段收集的意見，秘書處組織召開了委員會(huì)草案初稿的討論，并定向邀請(qǐng)相關(guān)專家擴(kuò)大了范圍討論；2022年6月22日，針對(duì)動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試如何判定為穩(wěn)定，重點(diǎn)邀請(qǐng)了珠海鎵未來創(chuàng)始人吳毅鋒教授、浙江大學(xué)吳新科教授等就持續(xù)脈沖、持續(xù)雙脈沖、周期雙脈沖等做了重點(diǎn)交流，認(rèn)為幾個(gè)連續(xù)雙脈沖后，保證DUT柵極關(guān)斷并漏源高壓反偏的工作條件，會(huì)持續(xù)電子被陷阱捕捉的狀態(tài)，然后再次連續(xù)雙脈沖，會(huì)有效避免器件自熱對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。

2022年7月18日形成委員會(huì)草案。

T/CASAS 005—202X《用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》規(guī)定了用于硬開關(guān)切換電路的GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法。適用于進(jìn)行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景?？蓱?yīng)用于以下器件：

a)  GaN增強(qiáng)型和耗盡型分立電力電子器件；

b)  GaN集成功率電路；

c)  以上的晶圓級(jí)及封裝級(jí)產(chǎn)品。